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Impurity Injection Method of Antimonide Indium Thin Films for Hall Devices

机译：霍尔器件锑化铟薄膜的杂质注入方法

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公开/公告号KR900005638A

专利类型
公开/公告日1990-04-14

原文格式PDF
申请/专利权人 서주인;
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申请/专利号KR19880011728
发明设计人 추대호;요윤경;
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申请日1988-09-10
分类号H01L43/04;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 06:12:38

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