等离子体浸没离子注入方法处理氧化铟锡薄膜的研究

摘要

用等离子体浸没离子注入(PIII)的方法对氧化铟锡(ITO)进行了表面处理。在稳定100W射频功率输入情况下，氧等离子体环境中，研究了不同电学参数的处理效果。XPS分析表明，不同注入偏压条件下,样品表面氧含量有所变化，从而影响到ITO表面功函数；同时，In/Sn基本不变，表明实验过程中无明显的选择性刻蚀现象发生。