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【2h】

Enhanced Transient Hot Electron Concentration in n-Type Indium Antimonide (InSb) Semi-Conducting Thin Film in Nanosecond Time Regime

机译：在纳秒时制度中增强N型铟抗衍生物（INSB）半导体薄膜中的瞬态热电子浓度

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Musongong Eugene;
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年度 2007
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