首页> 中国专利> 薄膜主体、用于薄膜主体的反注入成型方法,以及用于薄膜主体的反注入成型工具

薄膜主体、用于薄膜主体的反注入成型方法,以及用于薄膜主体的反注入成型工具

摘要

本发明涉及箔主体,用于反注入成型箔主体的方法以及反注入成型工具。本发明特别涉及用于反注入成型用于生成诸如触摸屏的触敏传感器的层电极(1)的方法。在该方法中,在反注入成型之后仍能自由移动的层电极(1)的部分在反注入成型过程之前和期间由牺牲箔(3)覆盖。

著录项

  • 公开/公告号CN105263689B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 波利IC有限及两合公司;

    申请/专利号CN201480031790.8

  • 发明设计人 A·乌尔曼;W·菲克斯;

    申请日2014-05-27

  • 分类号

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人魏子翔

  • 地址 德国菲尔特

  • 入库时间 2022-08-23 10:01:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-10

    授权

    授权

  • 2016-06-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):B29C 45/14 申请日:20140527

    实质审查的生效

  • 2016-06-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):B29C 45/14 申请日:20140527

    实质审查的生效

  • 2016-01-20

    公开

    公开

  • 2016-01-20

    公开

    公开

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