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QUANTUM WIRE FABRICATED VIA PHOTO INDUCED EVAPORATION ENHANCEMENT DURING IN SITU EPITAXIAL GROWTH

机译：通过光诱导原位表皮生长实现量子线蒸发

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摘要

In situ removal of selected or patterned portions of quantum well layers is accomplished by photo induced evaporation enhancement to form quantum wire, patterned quantum wire and multiple quantum wires in a semiconductor structure.

机译：通过光致蒸发增强在半导体结构中形成量子线，图案化的量子线和多条量子线来完成量子阱层的选定部分或图案化部分的原位去除。

著录项

公开/公告号CA2041942A1

专利类型
公开/公告日1991-12-26

原文格式PDF
申请/专利权人 XEROX CORPORATION;
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申请/专利号CA19912041942
发明设计人 PAOLI THOMAS L.;EPLER JOHN E.;
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申请日1991-05-07
分类号H01L21/20;H01L21/205;H01L21/268;H01L29/06;H01L29/201;H01L29/80;H01S5/00;H01S5/34;
国家 CA
入库时间 2022-08-22 05:32:19

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