首页> 外国专利> Method of fabricating quantum wire semiconductor laser via photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth

Method of fabricating quantum wire semiconductor laser via photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth

机译:原位外延生长过程中通过光致蒸发增强制造量子线半导体激光器的方法

摘要

In situ removal of selected or patterned portions of quantum well layers is accomplished by photo induced evaporation enhancement to form quantum wire and multiple quantum wires in a semiconductor laser structure.
机译:通过光致蒸发增强以在半导体激光器结构中形成量子线和多条量子线来原位去除量子阱层的选定或图案化部分。

著录项

  • 公开/公告号US5114877A

    专利类型

  • 公开/公告日1992-05-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 XEROX CORPORATION;

    申请/专利号US19910638587

  • 发明设计人 JOHN E. EPLER;THOMAS L. PAOLI;

    申请日1991-01-08

  • 分类号H01L21/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 05:22:50

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号