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Method of manufacturing BiCMOS device for forming oxide spacer in side wall

机译：用于在侧壁中形成氧化物间隔物的BiCMOS器件的制造方法

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  • 公开/公告号KR920022447A

    专利类型

  • 公开/公告日1992-12-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 김광호;

    申请/专利号KR19910007496

  • 发明设计人 이용재;이덕민;김영옥;

    申请日1991-05-09

  • 分类号H01L21/72;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 05:04:53

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