在存储器单元中形成多晶硅侧壁氧化物间隔件的方法

摘要

本发明揭示制造具有侧壁氧化物的半导体装置的存储器单元例如EEPROM单元的方法。可在导电层上方形成包含浮动栅极(28)及ONO膜(108)的存储器单元结构。可通过包含在所述导电层的侧表面上沉积薄高温氧化物HTO膜及执行快速热氧化RTO退火的过程在所述浮动栅极的侧表面上形成侧壁氧化物。可在执行所述RTO退火之前或之后沉积所述薄HTO膜。相较于已知先前技术，所述侧壁氧化物形成过程可例如在耐久性及数据保存方面提供改进的存储器单元。