氧化物半导体靶、其形成方法、使用其形成氧化物半导体层的方法及使用其制造半导体器件的方法

摘要

提供形成氧化物半导体层的方法和使用该形成氧化物半导体层的方法制造半导体器件的方法。该方法包括：将氧化物半导体靶安装在腔室中；将基底装到该腔室中；将该腔室抽真空；在将氧气和溅射气体注入到该腔室中的同时将直流功率施加到该氧化物半导体靶上；和通过将该溅射气体的等离子体施加到该氧化物半导体靶上而在该基底表面上形成氧化物半导体层。在此，该氧化物半导体靶可具有1kΩ或更小的电阻。该氧化物半导体靶可具有x(第一氧化物)·y(第二氧化物)·z(第三氧化物)的组成，其中x、y和z为摩尔比。所述第一至第三氧化物各自可为Ga