机译:制造半导体装置的设备,制造半导体装置的方法,在处理室中减少压力的方法以除去反应产物的方法以及防止反应产物沉积的方法
公开/公告号JPH0878402A
专利类型
公开/公告日1996-03-22
原文格式PDF
申请/专利权人 TOSHIBA CORP;
申请/专利号JP19950166658
申请日1995-06-30
分类号H01L21/3065;B01J19/10;C23F4/00;H01L21/205;H01L21/304;H01L21/31;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 03:57:26