首页> 外国专利> The semiconductor memory device null which has the refreshment shortening circuit in data possession

The semiconductor memory device null which has the refreshment shortening circuit in data possession

机译:具有数据更新刷新电路的半导体存储器件null

摘要

A semiconductor memory device of the type needing refresh includes a circuit for reducing the frequency of refresh cycles in data retention mode. A circuit is provided for preventing deterioration to sensing margin of bit lines that may be decreased by a reduction of the frequency of refresh cycles. The deterioration is prevented by increasing the boosting level of word lines.
机译:需要刷新的类型的半导体存储器件包括用于降低数据保持模式下的刷新周期的频率的电路。提供一种用于防止对位线的感测裕度的劣化可以通过减小刷新周期的频率而减小的电路。通过增加字线的升压电平来防止劣化。

著录项

  • 公开/公告号JP2665859B2

    专利类型

  • 公开/公告日1997-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星電子株式会社;

    申请/专利号JP19920187986

  • 发明设计人 金 文坤;尹 世昇;

    申请日1992-07-15

  • 分类号G11C11/406;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 03:30:37

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号