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METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACT FOR AN MOS TRANSISTOR

机译：MOS晶体管自对准源/漏接触的形成方法

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No inner
机译：无内在

著录项

  • 公开/公告号KR960016222B1

    专利类型

  • 公开/公告日1996-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 뽈 발로;

    申请/专利号KR19890003763

  • 发明设计人 티우 치우 찬;유-핀 한;

    申请日1989-03-23

  • 分类号H01L21/28;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 03:19:02

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