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The write signal control circuit of the memory device

机译:存储设备的写信号控制电路

摘要

The present invention relates to a write signal control circuit for a memory device, in which a write pulse signal output from a pulse generator is fed back to a write signal detection circuit to control a write signal, thereby generating a pulse of a write pulse signal And a circuit for ensuring a sufficient width to allow data recording of the memory element to be normally performed.
机译:本发明涉及一种用于存储装置的写信号控制电路,其中从脉冲发生器输出的写脉冲信号被反馈到写信号检测电路以控制写信号,从而产生写脉冲信号的脉冲。并且,用于确保足够的宽度以允许对存储元件进行数据记录的电路正常地执行。

著录项

  • 公开/公告号KR19980023369A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 문정환;

    申请/专利号KR19960042853

  • 发明设计人 주양성;오준환;

    申请日1996-09-30

  • 分类号G11C11/409;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 02:48:34

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