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ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTING CIRCUIT USING BOOTSTRAP

机译:使用自举的静电放电保护电路

摘要

PURPOSE: An ESD(electrostatic discharge) protecting circuit using bootstrap is provided for sensitive reaction to the ESD using the bootstrap, thereby protecting internal circuits. CONSTITUTION: A capacitor(C1) is connected to a source voltage(Vcc). A capacitor(C2) is connected between the capacitor(C1) and a ground voltage(Vss). In an NMOS transistor(Q1), a drain is connected to the source voltage(Vcc), gate and source are connected to a junction between the capacitors(C1,C2). In an NMOS transistor(Q2), a drain is connected to the source voltage(Vcc), a source is connected to the ground voltage(Vss), and a gate is connected to the source of the NMOS transistor(Q1). In a PN-diode(D1), a cathode is connected to the source voltage(Vcc) and an anode is connected to the ground voltage(Vss).
机译:目的:提供使用自举的ESD(静电放电)保护电路,以通过自举对ESD进行敏感反应,从而保护内部电路。组成:电容器(C1)连接到电源电压(Vcc)。电容器(C2)连接在电容器(C1)和接地电压(Vss)之间。在NMOS晶体管(Q1)中,漏极连接到源极电压(Vcc),栅极和源极连接到电容器(C1,C2)之间的结点。在NMOS晶体管(Q2)中,漏极连接到源极电压(Vcc),源极连接到地电压(Vss),栅极连接到NMOS晶体管(Q1)的源极。在PN二极管(D1)中,阴极连接到电源电压(Vcc),阳极连接到接地电压(Vss)。

著录项

  • 公开/公告号KR100253275B1

    专利类型

  • 公开/公告日2000-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO.LTD.;

    申请/专利号KR19960079112

  • 发明设计人 JANG SE-HYUNG;

    申请日1996-12-31

  • 分类号H01L27/04;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 01:44:54

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