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Field-effect transistor and the process for producing a charge carriers injected field effect transistor

机译:场效应晶体管及其注入电荷载流子的方法

摘要

A source/drain voltage is applied to the field effect transistor during injection of the charge carriers in the channel area of the field effect transistor with the purpose of achieving inhomogeneous distribution of the charge carrier in the channel area.
机译:在场效应晶体管的沟道区域中注入电荷载流子期间,将源极/漏极电压施加到场效应晶体管,以实现电荷载流子在沟道区域中的不均匀分布。

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