栅极抽取和注入场效应晶体管及其沟道载流子控制方法

摘要

栅极抽取和注入场效应晶体管及其沟道载流子控制方法，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的栅极抽取和注入场效应晶体管在绝缘层上设置有源极、漏极、栅极和沟道半导体区，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，其特征在于，所述栅介质层为电阻值为10³～10¹⁶Ω的薄膜材料；所述沟道半导体区的材质为二维半导体，或者具有二维半导体材料特点的三维半导体。本发明的有益效果是，器件和集成电路的功耗成数量级显著降低。