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METHOD OF CRYSTALLIZING SILICON FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY (TFT- LCD USING THE SAME

机译:结晶硅膜的方法和制造薄膜晶体管液晶显示器的方法(使用相同的TFT-LCD

摘要

A method of crystallizing a silicon film by which it is possible to obtain a polycrystalline silicon thin film having a uniform crystal structure and a good quality, and a method of manufacturing a thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) using the same. In the method of crystallizing the silicon film, an amorphous silicon film is formed on a substrate and a reflective film pattern is formed on the amorphous silicon film. The silicon film is crystallized by irradiating a laser onto the amorphous silicon film. The reflective film pattern is formed to expose the channel of the thin film transistor in the amorphous silicon film.
机译:使硅膜结晶的方法,通过该方法可以得到具有均匀晶体结构和良好质量的多晶硅薄膜,以及使用该方法制造薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)的方法。在使硅膜结晶的方法中,在基板上形成非晶硅膜,并在该非晶硅膜上形成反射膜图案。通过将激光照射到非晶硅膜上来使硅膜结晶。形成反射膜图案以暴露非晶硅膜中的薄膜晶体管的沟道。

著录项

  • 公开/公告号US2001012702A1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KIM HEON-JE;

    申请/专利号US19980172135

  • 发明设计人 HEON-JE KIM;

    申请日1998-10-14

  • 分类号H01L21/20;H01L21/26;H01L21/324;H01L21/42;H01L21/36;H01L21/477;C30B1/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:07:17

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