首页> 外国专利> Fabrication process of a semiconductor device by electron-beam lithography

Fabrication process of a semiconductor device by electron-beam lithography

机译:电子束光刻制造半导体器件的工艺

摘要

A method of fabricating a semiconductor device includes a step of creating exposure data from design data according to the steps of extracting a pattern group from the design data, extracting a plurality of patterns from the extracted pattern group as block patterns, and creating the exposure data for each of the extracted patterns.
机译:一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:根据以下步骤从设计数据中创建曝光数据:从设计数据中提取图案组;从所提取的图案组中提取多个图案作为块图案;以及创建曝光数据。对于每个提取的模式。

著录项

  • 公开/公告号US6225025B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJITSU LIMITED;

    申请/专利号US19980158078

  • 发明设计人 HIROMI HOSHINO;

    申请日1998-09-22

  • 分类号G03F90/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:04:30

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号