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Thin film formation method

机译:薄膜形成方法

摘要

PURPOSE:To provide means for forming a high quality thin film, e.g. an oxide superconductive thin film or a dielectric thin film, by making uniform the temperature of a board being employed when a thin film is formed by sputtering, CVD, etc. CONSTITUTION:A board 5 for forming a thin film is placed tightly on a thermal conductive board 4 having thermal conductivity higher than that of the board 5. A thin film is then formed on the board 5 while heating the board 4 or both boards 4, 5. The thermal conductive board may be formed of sapphire, BN, or AlN. The thermal conductive board may have wider area than the thin film forming board. Both boards may be bonded through a thin silver film, a thin gold film, silver paste, or gold paste. This method allows formation of a silver oxide superconductive thin film, an oxide thin film, a dielectric thin film, etc.
机译:目的:提供形成高质量薄膜的方法,例如通过使通过溅射,CVD等形成薄膜时所使用的板的温度均匀,从而形成氧化物超导薄膜或介电薄膜。组成:用于形成薄膜的板5紧紧地放置在加热板上具有比板5的导热率高的导热率的导热板4。然后在加热板4或两个板4、5的同时在板5上形成薄膜。导热板可以由蓝宝石,BN或AlN形成。 。导热板可具有比薄膜形成板更大的面积。可以通过薄银膜,薄金膜,银浆或金浆将两个板粘合在一起。该方法允许形成氧化银超导薄膜,氧化物薄膜,电介质薄膜等。

著录项

  • 公开/公告号JP3338906B2

    专利类型

  • 公开/公告日2002-10-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号JP19930145861

  • 发明设计人 田中 厚志;渦巻 拓也;

    申请日1993-06-17

  • 分类号H01L39/24;C23C14/08;H01B12/06;H01L39/02;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 01:00:51

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