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A highly resistive recrystallized silicon carbide, an anti-corrosive member, a method for producing the highly resistive recrystallized silicon carbide, and a method for producing the anti-corrosive member

机译:高电阻的重结晶碳化硅,防腐蚀构件,高电阻的重结晶碳化硅的制造方法以及防腐蚀构件的制造方法

摘要

A highly resistive recrystallized silicon carbide having open pores, wherein layered carbons on the inner wall surfaces of said open pores are removed and a resistivity at room temperature of said recrystallized silicon carbide is not less than 10000 Ω · cm.
机译:具有开孔的高电阻的重结晶碳化硅,其中除去了所述开孔的内壁表面上的层状碳,并且所述重结晶碳化硅在室温下的电阻率不小于10000Ω·cm。

著录项

  • 公开/公告号EP0967189B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NGK INSULATORS LTD;

    申请/专利号EP19990304841

  • 发明设计人 INOUE KATSUHIRO;AIHARA YASUFUMI;

    申请日1999-06-21

  • 分类号C04B38/00;C04B41/53;C04B35/573;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 00:35:27

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