机译:用于复合半导体中的元素的回收装置,用于回收元素的方法,用于分解和改进元素的方法,用于蚀刻复合半导体的设备和方法以及用于制造复合半导体设备的方法
公开/公告号JP2003100705A
专利类型
公开/公告日2003-04-04
原文格式PDF
申请/专利权人 TOSHIBA CORP;
申请/专利号JP20010298401
发明设计人 KITA TORU;KINUGAWA YOSHIYUKI;NISHIWAKI WAKANA;AKAIKE YASUHIKO;ISOMOTO KENJI;ISHIKAWA HIROCHIKA;FURUKAWA KAZUYOSHI;WASHITSUKA SHOICHI;
申请日2001-09-27
分类号H01L21/306;C22B7/00;C22B9/02;C22B9/04;H01L33/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 00:20:14