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Resist materials for 157-nm lithography

机译:157 nm光刻胶材料

摘要

A radiation sensitive resin composition including a photo-acid generator and an aliphatic polymer having one or more electron withdrawing groups adjacent to or attached to a carbon atom bearing a protected hydroxyl group, wherein the protecting group is labile in the presence of in situ generated acid is described. The radiation sensitive resin composition can be used as a resist suitable for image transfer by plasma etching and enable one to obtain an etching image having high precision with high reproducibility with a high degree of resolution and selectivity.
机译:辐射敏感性树脂组合物,其包含光致产酸剂和具有一个或多个吸电子基团的脂肪族聚合物,所述吸电子基团与带有受保护的羟基的碳原子相邻或连接,其中所述保护基在原位产生的酸的存在下不稳定描述。辐射敏感性树脂组合物可用作适合于通过等离子蚀刻进行图像转印的抗蚀剂,并且使得人们能够以高分辨率和高选择性,高再现性获得具有高精度的蚀刻图像。

著录项

  • 公开/公告号US2003157431A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-08-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MASS INSTITUTE OF TECHNOLOGY (MIT);

    申请/专利号US20020271807

  • 发明设计人 THEODORE H. FEDYNYSHYN;

    申请日2002-10-16

  • 分类号G03F7/004;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:10:17

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