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Etching for silicon surfaces and layers, used in photovoltaic, semiconductor and high power electronics technology, for producing photodiode, circuit, electronic device or solar cell, is thickened alkaline liquid

机译:用于光伏,半导体和高功率电子技术的硅表面和层的蚀刻,是用于生产光电二极管,电路,电子设备或太阳能电池的增稠碱性液体

摘要

Medium for etching silicon surfaces and layers is a thickened alkaline liquid. An Independent claim is also included for an etching process, in which this medium is applied to all or the required part of the surface and removed again after an action time of 30 seconds to 5 minutes.
机译:用于蚀刻硅表面和层的介质是增稠的碱性液体。蚀刻工艺也包括独立权利要求,其中将这种介质施加到表面的全部或所需部分,并在30秒到5分钟的作用时间后再次除去。

著录项

  • 公开/公告号DE10241300A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MERCK PATENT GMBH;

    申请/专利号DE20021041300

  • 申请日2002-09-04

  • 分类号C23F1/32;C03C15/00;H01L21/306;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:43:56

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