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AlAs/GaAs alloy to enhance n-type doping in AlGaAs distributed bragg reflector

机译:AlAs / GaAs合金可增强AlGaAs分布式布拉格反射器中的n型掺杂

摘要

Distributed Bragg reflector (DBR) with reduced DX centers. A DBR includes an AlAs region. The AlAs region includes essentially homogeneous AlAs. The DBR further includes a AlGaAs region. The AlGaAs region includes alternating thin layers of AlAs and GaAs. The alternating thin layers of AlAs and GaAs are arranged such the the AlGaAs region appears as a layer of AlGaAs with appropriate concentrations of Al and Ga.
机译:DX中心减少的分布式布拉格反射器(DBR)。 DBR包括AlAs区域。 AlAs区域包括基本上均匀的AlAs。 DBR还包括AlGaAs区域。 AlGaAs区域包括AlAs和GaAs的交替的薄层。 AlAs和GaAs的交替的薄层被布置成使得AlGaAs区域表现为具有适当浓度的Al和Ga的AlGaAs层。

著录项

  • 公开/公告号US2006078026A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HOKI KWON;

    申请/专利号US20040961624

  • 发明设计人 HOKI KWON;

    申请日2004-10-08

  • 分类号H01S5/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:47:54

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