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圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律

     

摘要

AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律,推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型,所得模型曲线与实验数据均吻合较好,并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制.

著录项

  • 来源
    《半导体学报:英文版》|2005年第z1期|281-284|共4页
  • 作者单位

    北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体激光器;
  • 关键词

    VCSEL; AlGaAs; 湿法氧化;

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