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METHOD FOR MANUFACTURING HAZE NOISE STANDARD CONTAINING NANOSTRUCTURE ON INSULATING MEMBRANE

机译:包含绝缘膜的纳米结构的雾度标准的制造方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new noise standard capable of covering the overall operation ranges of a particle contamination measuring device, and to provide a defect detection device.;SOLUTION: In the method for manufacturing Haze noise standards each having insulating membranes (102 and 202) and a plurality of nanostructures (114, 116, 214, 216) of hemispherical form formed on the insulating membrane, each standard is manufactured by the formation on at least one insulating film (102, 202) of seeds (106, 107), made of a first semiconductor material by chemical deposition using a first precursor gas (104) for the first semiconductor material and the formation on the insulating layer (102, 202) of nanostructures (114, 116, 2141, 2142, 2143, 2144) arranged on a second semi-conductor material and in the form of hemispheres, from stable seeds of the first semiconductor material by chemical deposition that uses a second precursor gas (119) for the second semiconductor material.;COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
机译:要解决的问题:提供一种新的噪声标准,该标准能够覆盖颗粒污染测量设备的整个操作范围,并提供一种缺陷检测设备。;解决方案:制造雾度噪声标准的方法均各自具有绝缘膜(102)和202)以及在绝缘膜上形成的多个半球形纳米结构(114、116、214、216),通过在种子(106、107)的至少一个绝缘膜(102、202)上形成来制造每个标准)由第一半导体材料通过化学沉积制成,该化学方法是使用第一半导体材料的第一前体气体(104)并在绝缘层(102、202)上形成纳米结构(114、116、214 1 ,214 2 ,214 3 ,214 4 )以稳定的方式排列在第二半导体材料上并呈半球形使用第二前驱物气体通过化学沉积法沉积第一半导体材料的晶种(119)用于第二种半导体材料。;版权所有:(C)2007,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2007114183A

    专利类型

  • 公开/公告日2007-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 COMMISS ENERG ATOM;

    申请/专利号JP20060200027

  • 发明设计人 NOLOT EMMANUEL;

    申请日2006-07-21

  • 分类号G01N1/00;B82B3/00;B82B1/00;C23C16/455;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 21:10:36

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