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制造包括绝缘薄板上的纳米结构的雾噪声标准件的方法

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本发明涉及制造雾噪声标准件的方法，该雾噪声标准件分别具有绝缘薄层(102，202)和形成在绝缘薄层上的多个半球形纳米结构(114，116，214，216)，通过下列步骤来制造对应的标准件：借助于用于第一半导体材料的第一前体气体(104)通过化学沉积的方式，在至少一个绝缘层(102，202)上形成第一半导体材料的晶种(106，107)；借助于第二半导体材料的第二前体气体(110)通过化学沉积的方式，自第一半导体材料的稳定晶种，在所述绝缘层(102，202)上形成基于第二半导体材料的并且半球形式的纳米结构(114，116，214

著录项

公开/公告号CN1912602B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-03-23

原文格式PDF
申请/专利权人原子能委员会;
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申请/专利号CN200610151323.6
发明设计人埃马纽埃尔·诺洛;
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申请日2006-07-24
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人蔡胜利
地址法国巴黎
入库时间 2022-08-23 09:06:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-09-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 21/93 授权公告日:20110323 终止日期:20150724 申请日:20060724

专利权的终止
2011-03-23

授权

授权
2007-04-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-02-14

公开

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1. 制造包括绝缘薄板上的纳米结构的雾噪声标准件的方法 [P] . 中国专利： CN1912602B . 2011.03.23
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