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FLASH MEMORY DEVICE WITH STEPPING CONVERGENCE PROGRAMMING SCHEME

机译:具有逐步收敛编程方案的闪存设备

摘要

The present invention relates to a threshold voltage of the cells in the initialization method program of the flash memory device , of the cells and the first convergence program applying a step voltage to a word line; For a predetermined period of time a constant voltage to the word line and a second step of continuously supplying the convergence program . Improve the dispersion of the cell during the start of the program via the above-mentioned initialization and threshold voltage , by reducing the number of loops required for the program may increase the program speed .
机译:本发明涉及在闪存器件的初始化方法程序中的单元的阈值电压,单元和第一会聚程序中向字线施加阶跃电压的阈值电压。在预定的时间段内,向字线施加恒定电压,并持续提供会聚程序的第二步。通过减少程序所需的循环次数,可以通过上述初始化和阈值电压改善程序启动期间单元的分散度,从而可以提高程序速度。

著录项

  • 公开/公告号KR20070035277A

    专利类型

  • 公开/公告日2007-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 삼성전자주식회사;

    申请/专利号KR20050089948

  • 发明设计人 천진영;정재용;

    申请日2005-09-27

  • 分类号G11C16/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:35:51

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