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structure and fabrication method of chip-embedded interposer, wafer-level stack structure of different kinds of chips using the same, and resultant package structure

机译:嵌入式中介层的结构和制造方法,使用该中介层的不同芯片的晶片级堆叠结构以及所得封装结构

摘要

A method for fabricating a chip-embedded interposer may comprise forming at least one cavity on a silicon substrate, forming a plurality of through vias penetrating the silicon substrate, providing an integrated circuit chip having a plurality of I/O pads, and forming rerouting conductors connected to the I/O pads and the through vias. A stack structure having different kinds of chips may be incorporated at wafer level using the described interposer.
机译:一种制造嵌入芯片的中介层的方法,可以包括:在硅衬底上形成至少一个腔;形成贯穿硅衬底的多个通孔;提供具有多个I / O焊盘的集成电路芯片;以及形成重新布线导体。连接到I / O焊盘和通孔。使用所描述的插入物,可以在晶片级结合具有不同种类的芯片的堆叠结构。

著录项

  • 公开/公告号KR100721353B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20050061573

  • 申请日2005-07-08

  • 分类号H01L23/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:32:10

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