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NITRIDING DEVICE BY IONIC IMPLANTATION OF A GOLD ALLOY PART AND METHOD USING SUCH A DEVICE

机译:通过离子注入金合金零件进行氮化的装置及使用该装置的方法

摘要

The invention relates to an ion implantation device in a gold alloy part (5) comprising an ion source (6) delivering ions accelerated by an extraction voltage and first adjustment means (7). -11) of an initial beam (f1 ') of ions emitted by said source (6) into an implantation beam (f1). The source (6) is an electron cyclotron resonance source producing the initial beam (f1 ') of multi-energy ions that are implanted in the workpiece (5) at a temperature below 300 ° C. The implantation of these multi-energy ions of the implantation beam (f1) regulated by means of said adjustment means (7-11) is performed simultaneously at a depth controlled by the extraction voltage of the source.
机译:本发明涉及一种在金合金部件(5)中的离子注入装置,该离子注入装置包括离子源(6)和第一调节装置(7),该离子源输送通过提取电压加速的离子。由所述源(6)发射的离子的初始束(f1′)进入注入束(f1)。源(6)是电子回旋共振源,产生多能离子的初始束(f1'),并在低于300°C的温度下注入到工件(5)中。由所述调节装置(7-11)调节的注入束(f1)在由源的提取电压控制的深度同时进行。

著录项

  • 公开/公告号FR2906261A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QUERTECH INGENIERIE;

    申请/专利号FR20060008403

  • 发明设计人 DENIS BUSARDO;

    申请日2006-09-26

  • 分类号C23C14/48;C01G7;C23C14/58;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 19:47:07

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