机译:用于促进无电钯电镀反应开始的预处理液,使用该预处理液的无电电镀法,由无电电镀法形成的连接端子,以及由连接端子及其制造方法制成的半导体封装
公开/公告号JP2009155668A
专利类型
公开/公告日2009-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 HITACHI CHEM CO LTD;
申请/专利号JP20070331962
申请日2007-12-25
分类号C23C18/44;H05K3/18;H05K3/34;H01L23/12;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:45:48