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使用无电电镀法制造发光二极管的方法

摘要

本发明涉及一种形成发光二极管的方法,此方法包括形成一绝缘层于p型半导体层与n型半导体层中至少其一上,且未被晶种层覆盖的一区域,此区域中的表面杂质浓度呈不均匀分布,及将晶种层至少一部分置入电解液中,电解液中包括有金属离子,此金属离子在无外加电压下会还原沉积于晶种层之上。

著录项

  • 公开/公告号CN100481544C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶元光电股份有限公司;

    申请/专利号CN200610110764.1

  • 申请日2006-08-11

  • 分类号H01L33/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-04-22

    授权

    授权

  • 2008-04-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-13

    公开

    公开

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