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公开/公告号CN100481544C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-22
原文格式PDF
申请/专利权人 晶元光电股份有限公司;
申请/专利号CN200610110764.1
发明设计人 庄家铭;邵聿珩;纪喨胜;黄毓杰;霍大成;
申请日2006-08-11
分类号H01L33/00(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2022-08-23 09:02:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-04-22
授权
2008-04-09
实质审查的生效
2008-02-13
公开
机译: 用于促进无电钯电镀反应开始的预处理液,使用该预处理液的无电电镀法,由无电电镀法形成的连接端子,以及由连接端子及其制造方法制成的半导体封装
机译: 使用无电电镀法制造发光二极管结构的方法
机译: 用无电电镀法形成金属膜的基体涂料,制造基体的涂膜层的方法,制造被覆产品的方法
机译:使用逐层组装方法来制造均匀且导电的氮掺杂石墨烯阳极,用于无铟锡氧化物有机发光二极管
机译:用两种不同的TI检测外生电细菌的比较用两种不同的方法检测外生电细菌的比较:U型管微生物燃料电池和电镀法
机译:无电镀法的FES2薄膜制造与光学评估
机译:使用同步加速器和无X射线电子激光进行串行晶体学的样品注射器制造和传输方法开发。
机译:使用随机纳米级棒制造散射层以改善有机发光二极管的光学特性的简单方法
机译:金属辅助无电制造纳米多孔p-GaN,用于提高发光二极管的光提取效率
机译:使用家庭自动化网络无线电频率的基于Rss的无设备无源检测和本地化。