首页> 外国专利> N2 BASED PLASMA TREATMENT FOR ENHANCED SIDEWALL SMOOTHING AND PORE SEALING OF POROUS LOW-K DIELECTRIC FILMS

N2 BASED PLASMA TREATMENT FOR ENHANCED SIDEWALL SMOOTHING AND PORE SEALING OF POROUS LOW-K DIELECTRIC FILMS

机译:基于N2的等离子体处理可增强多孔低K介电膜的侧壁光滑度和孔密封

摘要

A method of forming a semiconductor device including forming a low-k dielectric material over a substrate, depositing a liner on a portion of the low-k dielectric material, and exposing the liner to a plasma. The method also includes depositing a layer over the liner.
机译:一种形成半导体器件的方法,该方法包括在衬底上方形成低k电介质材料,在该低k电介质材料的一部分上沉积衬里,以及将该衬里暴露于等离子体。该方法还包括在衬里上沉积一层。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号