机译:半导体芯片的生产方式,半导体设备的生产方式,电路基板的生产方式和电子设备的生产方式
为了提供制造具有高纵横比/高可靠性的垂直导电结构的半导体芯片等的方法,半导体装置,电路板和电子设备。解决方案:该制造方法具有通过将激光束斜向照射在由平面方向为(100)表面的硅基板构成的结晶基板上而形成前述孔的工艺;通过在水或有机碱蚀刻液的KOH溶液中进行各向异性蚀刻以扩大上述孔的方法来形成通孔的方法。此外,该方法具有在通孔的内壁上形成绝缘膜的工序。以及在其内壁被绝缘的通孔中形成导电材料并形成金属凸块的工艺,该金属凸块使晶体基板的一个表面和另一表面电进入导电状态。
版权:(C)2007和JPO&INPIT
公开/公告号JP4497147B2
专利类型
公开/公告日2010-07-07
原文格式PDF
申请/专利权人 セイコーエプソン株式会社;
申请/专利号JP20060262245
申请日2006-09-27
分类号H01L23/12;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 18:57:57