首页> 外国专利> MULTI-BIT FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF ANALYZING FLAG CELLS OF THE SAME

MULTI-BIT FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF ANALYZING FLAG CELLS OF THE SAME

机译:多位闪存存储器装置和相同闪存容器的分析方法

摘要

Disclosed is a multi-bit flash memory device which includes a memory cell array and a control circuit. The memory cell array has multiple memory cells and multiple flag cells. The control circuit determines whether the flag cells are programmed, based on a reference corresponding to a read margin of the flag cells, and controls a program operation of the memory cells in response to the determination.
机译:公开了一种多位闪存设备,其包括存储单元阵列和控制电路。存储器单元阵列具有多个存储器单元和多个标志单元。控制电路基于与标志单元的读取余量相对应的基准来确定标志单元是否被编程,并且响应于该确定来控制存储单元的编程操作。

著录项

  • 公开/公告号US2009313423A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-12-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DAE-SEOK BYEON;

    申请/专利号US20090467529

  • 发明设计人 DAE-SEOK BYEON;

    申请日2009-05-18

  • 分类号G06F12/02;G11C16/02;G11C16/06;G06F12/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:53:40

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号