机译:通过软编程方法提高闪存设备中的多级单元性能
Dept. of Electrical Engineering, KAIST, 335 Gwahak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
SK Hynix Semiconductor Incorporated, Bubal-eup, Icheon-si, Gyeonggi-do 467-701, Republic of Korea;
SK Hynix Semiconductor Incorporated, Bubal-eup, Icheon-si, Gyeonggi-do 467-701, Republic of Korea;
Dept. of Electrical Engineering, KAIST, 335 Gwahak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea,SK Hynix Semiconductor Incorporated, Bubal-eup, Icheon-si, Gyeonggi-do 467-701, Republic of Korea;
Dept. of Electrical Engineering, KAIST, 335 Gwahak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, Republic of Korea;
Reliability; Soft program; TANOS; Blocking oxide;
机译:一种新颖的编程方法提高闪存的性能和可靠性
机译:电荷陷阱闪存设备的衬底偏置辅助热电子注入每单元四位编程方法
机译:具有SiGe埋入沟道的电荷陷阱闪存器件的编程和擦除速度的提高
机译:多级闪存单元的热载子自收敛编程方法
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:在针对强化胰岛素治疗的糖尿病患者快速血糖监测设备的结构化教育和治疗计划的评估研究中使FLASH成为干预组和常规治疗组之间的区别:一项随机对照试验的研究方案
机译:新型栅极材料在提高闪存器件性能中的应用