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Nonvolatile carbon nanotube memory device using multiwall carbon nanotubes and methods of operating and fabricating the same

机译:使用多壁碳纳米管的非易失性碳纳米管存储器件及其操作和制造方法

摘要

A nonvolatile carbon nanotube memory device using multiwall carbon nanotubes and methods of operating and fabricating the same are provided. The nonvolatile memory device may include a substrate, at least one first electrode on the substrate, first and second vertical walls on the at least one first electrode spaced from each other, a multiwall carbon nanotube on the at least one first electrode between the first and second vertical walls, second and third electrodes on the first and second vertical walls respectively and at least one fourth electrode spaced a variable distance D (where D≧0) from the multiwall carbon nanotubes.
机译:提供了一种使用多壁碳纳米管的非易失性碳纳米管存储器件及其操作和制造方法。非易失性存储器件可以包括:衬底;在衬底上的至少一个第一电极;在彼此隔开的至少一个第一电极上的第一和第二垂直壁;在第一和第二电极之间的至少一个第一电极上的多壁碳纳米管。第二垂直壁,分别在第一和第二垂直壁上的第二和第三电极以及至少一个第四电极与多壁碳纳米管隔开可变距离D(其中D≥0)。

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