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Reduced current phase-change memory device

机译:减少电流的相变存储设备

摘要

A phase-change memory device more precisely controls electrical current required to accomplish a phase change by using contact holes that extend between phase change layers that are sized differently from each other.
机译:相变存储器件通过使用在尺寸彼此不同的相变层之间延伸的接触孔,更精确地控制完成相变所需的电流。

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