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A method for reducing of irregularities, during the chemically - mechanical polishing of micro structure components by use of cmp - encrustation in a glazed state

机译:一种用于在化学-机械抛光过程中通过使用cmp进行化学机械抛光微结构部件的方法-减少釉面结皮的方法

摘要

In complex cmp - recipes, the material removal on the basis of a chemically reactive abrasive material and a low pressing force is achieved, wherein the surface topography finally a material layer achieved is improved in that at least in a final phase, a glazed state of the polishing pad is applied.
机译:在复杂的cmp-配方中,实现了基于化学反应性磨料的材料去除和较低的压力,其中,最终获得的材料层的表面形貌得到了改善,至少在最后阶段为釉面状态。应用抛光垫。

著录项

  • 公开/公告号DE102008054074A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-05-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20081054074

  • 发明设计人

    申请日2008-10-31

  • 分类号H01L21/304;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 18:28:40

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