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METHOD OF DEPOSITING AMORPHUS ALUMINIUM OXYNITRIDE LAYER BY REACTIVE SPUTTERING OF AN ALUMINIUM TARGET IN A NITROGEN/OXYGEN ATMOSPHERE

机译:氮/氧气氛中铝靶的反应溅射沉积非晶态氧化铝层的方法。

摘要

A method of depositing an amorphous layer of AlON includes providing an aluminium sputter target in a chamber, exposing the target and chamber to O2 to saturate the exposed surfaces with oxygen, introducing a substrate into the chamber in an atmosphere containing at least nitrogen and oxygen, and sputtering the target in the nitrogen and oxygen atmosphere to deposit an amorphous AlON film.
机译:沉积AlON非晶层的方法包括:在腔室中提供铝溅射靶材,将靶材和腔室暴露于O 2 以使暴露的表面被氧气浸透,然后将衬底引入腔室内。在至少包含氮和氧的气氛中,在氮和氧气氛中溅射靶以沉积非晶AlON膜。

著录项

  • 公开/公告号US2011042200A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ANTHONY WILBY;

    申请/专利号US20090934276

  • 发明设计人 ANTHONY WILBY;

    申请日2009-03-20

  • 分类号C23C14/38;C23C14/34;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:14:03

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