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FILM FOR FLIP CHIP TYPE SEMICONDUCTOR BACK SURFACE, PROCESS FOR PRODUCING STRIP FILM FOR SEMICONDUCTOR BACK SURFACE, AND FLIP CHIP TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

机译:倒装芯片型半导体背面的膜,生产半导体后表面的条带膜的工艺以及倒装芯片类型的半导体装置

摘要

The present invention relates to a film for flip chip type semiconductor back surface to be formed on a back surface of a semiconductor element flip chip-connected onto an adherend, the film for flip chip type semiconductor back surface having a ratio of A/B falling within a range of 1 to 8×103 (%/GPa), in which A is an elongation ratio (%) of the film for flip chip type semiconductor back surface at 23° C. before thermal curing and B is a tensile storage modulus (GPa) of the film for flip chip type semiconductor back surface at 23° C. before thermal curing.
机译:倒装芯片型半导体背面用膜技术领域本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜,其形成在倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上,该倒装芯片型半导体背面用膜的A / B比下降。在1至8×10 3 (%/ GPa)的范围内,其中A是倒装芯片型半导体背面用膜在23℃下的热延伸率(%)。固化,B为热固化前的倒装芯片型半导体背面用膜在23℃下的拉伸储能模量(GPa)。

著录项

  • 公开/公告号US2012028050A1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GOJI SHIGA;NAOHIDE TAKAMOTO;FUMITERU ASAI;

    申请/专利号US201113191574

  • 发明设计人 FUMITERU ASAI;GOJI SHIGA;NAOHIDE TAKAMOTO;

    申请日2011-07-27

  • 分类号B32B27/38;C08L63/06;C08L77/06;C08L67/02;C08L69/00;C08L71/10;C08L63/04;C08L63/02;C08L79/08;C08L61/08;C08L31/04;C08L33/08;C08L33/02;C08L7/00;C08L11/00;C08L9/00;C08L23/22;C08L33/14;C08L35/02;C08L43/02;B26D3/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:28:53

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