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机译：在大气压力下进行化学湿法化学法生产薄半导体金属硫化物n
公开/公告号AT546563T
专利类型
公开/公告日2012-03-15
原文格式PDF
申请/专利权人 HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUER MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH;
申请/专利号AT20090727706T
发明设计人 FISCHER CHRISTIAN-HERBERT;GLEDHILL SOPHIE;LUX-STEINER MARTHA CHRISTINA;ALLSOP NICHOLAS;
申请日2009-03-14
分类号C23C16/08;C23C16/18;C23C16/30;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/52;
国家 AT
入库时间 2022-08-21 17:21:39
机译： 化学气相沉积-在大气压下生产n型半导体金属硫化物薄膜的方法。
机译： 常压化学气相沉积法制备n-n-半导体金属硫化物薄层的方法
机译： 在大气压下进行化学气相沉积以生产薄的n半导体层金属硫化物
