公开/公告号CN107342318B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-02
原文格式PDF
申请/专利权人 科锐;
申请/专利号CN201710685897.X
申请日2012-06-26
分类号H01L29/51(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/739(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/04(20060101);H01L21/02(20060101);H01L29/16(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人李进;杨思捷
地址 美国北卡罗来纳州
入库时间 2022-08-23 11:30:50
机译: 在3D半导体器件上形成增强迁移率沟道区的方法以及包括该方法的器件
机译: 增强p沟道半导体器件及其制造的p沟道半导体器件的可靠性的方法
机译: 干化学工艺用于制造具有增加的沟道迁移率的半导体器件