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Power Amplifier

机译:功率放大器

摘要

The present invention relates to a power amplifier , the first common source transistor ; A second common source transistor coupled to fulfill the first transistor and the common source inverter structure ; And the first transistor and the common source is connected to the cascode structure , the second transistor and the common source comprises a common gate transistor connected in parallel , to improve the breakdown characteristics , improving the output gain , and is easy to implement and to withstand the high peak voltage .
机译:本发明涉及功率放大器,第一共源晶体管;第二共源晶体管耦合以实现第一晶体管和共源反相器结构;并且第一晶体管和公共源极连接到共源共栅结构,第二晶体管和公共源极包括并联连接的公共栅极晶体管,以改善击穿特性,提高输出增益,并且易于实现和承受高峰值电压。

著录项

  • 公开/公告号KR101109224B1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20090133017

  • 申请日2009-12-29

  • 分类号H03F1/22;H03F3/21;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:08:39

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