首页> 外文期刊>Solid-State Circuits Magazine, IEEE >A Technical Foundation for RF CMOS Power Amplifiers: Part 3: Power Amplifier 3-Port Characteristics
【24h】

A Technical Foundation for RF CMOS Power Amplifiers: Part 3: Power Amplifier 3-Port Characteristics

机译:RF CMOS功率放大器的技术基础:第3部分:功率放大器3端口特性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Here in the third article of this series [1] (see ?A Series on CMOS Transmitter Techniques?), implications from the fact that all amplifiers are now, and have always been, three-port circuits are explored.
机译:在本系列的第3篇文章[1]中(请参见“ CMOS发射器技术的系列”?),从以下事实出发,我们探究了所有放大器,并且一直以来都在研究三端口电路。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号