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公开/公告号CN109314494B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-25
原文格式PDF
申请/专利权人 雅马哈株式会社;
申请/专利号CN201680086339.5
发明设计人 藤田心一;
申请日2016-05-30
分类号H03F1/52(20060101);H03F3/26(20060101);H04R3/00(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人金兰
地址 日本静冈县
入库时间 2022-08-23 13:10:22
机译: 功率放大器保护电路,功率放大器和扬声器单元
机译: 功率放大器,功率放大器和扬声器单元的保护电路
机译:适用于65nm CMOS工艺的千兆赫功率放大器的大摆幅ESD保护电路
机译:使用集电极/发射极雪崩击穿的SiGe HBT功率放大器的输出VSWR保护电路
机译:用于GaAsHBT射频功率放大器的新型片上ESD保护电路
机译:提出使用D类功率放大器电路降低E类功率放大器电路的峰值电压的ED类功率放大器电路的建议
机译:集成CMOS功率放大器和高效F类氮化镓功率放大器的线性化技术。
机译:用于功率放大器预失真实验的数字补偿宽带60 GHz试验台
机译:带有故障保护的功率放大器励磁电路
机译:单片微波集成电路(mmIC)宽带功率放大器(第2部分)。