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Microplasma ion source for focused ion beam applications

机译:聚焦离子束应用的微等离子体离子源

摘要

A high pressure microplasma source operating in a normal glow discharge regime is used to produce a cold bright focused beam of Xe+ and/or Xe2+ ions having ion temperature of the order of 0.5-1 eV and a current density on the order of 0.1-1 A/cm2 or higher for focused ion beam applications.
机译:在正常辉光放电状态下运行的高压微等离子体源用于产生Xe + 和/或Xe 2 + 2 的离子。

著录项

  • 公开/公告号US8481966B1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VLADIMIR V. MAKAROV;SERGEY MACHERET;

    申请/专利号US201213407549

  • 发明设计人 VLADIMIR V. MAKAROV;SERGEY MACHERET;

    申请日2012-02-28

  • 分类号H01J37/08;H01J49/40;A61L2/14;H01J37/32;H01J37/317;H01J27/26;H01J49/16;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:43:52

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