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公开/公告号CN103151233A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-12
原文格式PDF
申请/专利权人 FEI公司;
申请/专利号CN201210514925.9
发明设计人 A.格劳佩拉;C.奥迪斯;
申请日2012-12-05
分类号H01J37/32;H01J37/305;H01J27/16;H01J37/08;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人原绍辉
地址 美国俄勒冈州
入库时间 2024-02-19 19:20:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-07-22
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J37/32 申请公布日:20130612 申请日:20121205
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-06-12
公开
机译: 感应耦合等离子体离子源,与带有可选离子的聚焦离子束柱一起使用
机译: 感应耦合等离子体离子源,与聚焦离子束柱一起使用,离子束可选
机译:使用基于电感耦合等离子体离子源的聚焦离子束系统进行高速微加工
机译:使用紧凑型微波等离子体离子源的多元素聚焦离子束
机译:聚焦重离子束感应耦合等离子体离子源角电流密度的改进
机译:关于感应等离子体离子源中的射频和等离子体耦合的注意事项
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:使用光电二极管阵列检测器将顺序感应耦合等离子体发射光谱仪转换为多通道同时系统
机译:生产基于激光冷却原子的单电动铯离子源,用于与聚焦离子束柱耦合
机译:电感耦合等离子体作为质谱离子源的基本特征和应用。