首页> 外国专利> NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING METHOD AND NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING DEVICE

NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING METHOD AND NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING DEVICE

机译:氮化物半导体制造装置的材料清洗方法及氮化物半导体制造装置的材料清洗装置

摘要

Provided is a method of washing, among materials which configure a nitride semiconductor fabrication device, a nitride semiconductor fabrication device material (13) including nitride semiconductors to which deposits have adhered, said method comprising: a step of chemical processing the nitride semiconductor fabrication device material with a washing gas including chlorinated gas; and a step of blowing a sublimating solid substance and removing the deposits from the nitride semiconductor fabrication device material (13).
机译:提供一种在构成氮化物半导体制造装置的材料中洗涤包括附着有沉积物的氮化物半导体的氮化物半导体制造装置材料(13)的方法,所述方法包括:化学处理所述氮化物半导体制造装置材料的步骤。用洗涤气体,包括氯化气体;吹升华固体物质并从氮化物半导体制造器件材料(13)去除沉积物的步骤。

著录项

  • 公开/公告号WO2013047506A1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-04-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION;

    申请/专利号WO2012JP74536

  • 发明设计人 ARIMURA TADANOBU;TABUCHI TOSHIYA;

    申请日2012-09-25

  • 分类号H01L21/304;B08B7;C23C16/44;H01L21/205;H01L21/3065;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 16:33:57

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号