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NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING METHOD AND NITRIDE SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE MATERIAL WASHING DEVICE

机译:氮化物半导体制造装置的材料清洗方法及氮化物半导体制造装置的材料清洗装置

摘要

A method for cleaning a component of a nitride semiconductor manufacturing apparatus to which has adhered deposits containing nitride semiconductor comprises a step for chemically treating the component of the nitride semiconductor manufacturing apparatus with a cleaning gas containing a chlorine-based gas, and a step for removing the deposits from the component of the nitride semiconductor manufacturing apparatus by spraying with a sublimable solid substance.
机译:一种用于清洁氮化物半导体制造设备中附着有包含氮化物半导体的沉积物的部件的方法,该方法包括以下步骤:使用包含氯基气体的清洁气体对氮化物半导体制造设备的部件进行化学处理;以及去除步骤。通过喷涂可升华的固体物质,从氮化物半导体制造设备的部件中沉积出沉积物。

著录项

  • 公开/公告号KR20140069023A

    专利类型

  • 公开/公告日2014-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION;

    申请/专利号KR20147007783

  • 发明设计人 TABUCHI TOSHIYA;ARIMURA TADANOBU;

    申请日2012-09-25

  • 分类号H01L21/304;B08B7/00;C23C16/44;H01L21/205;H01L21/3065;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:42:48

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